ZXMN2B03E6TA介紹：

制造商: Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類: MOSFET  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-26-6

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 5.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 40 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V

Qg-柵極電荷: 14.5 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.7 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.3 mm  

長度: 3.1 mm  

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

系列: ZXMN2  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 1.8 mm  

商標(biāo): Diodes Incorporated  

下降時間: 6.2 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 6.2 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 33.9 ns  

典型接通延遲時間: 4.2 ns  

單位重量: 15 mg

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