IRFD220介紹：

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: HVMDIP-4

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 800 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 800 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1000 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 3.4 mm  

長(zhǎng)度: 5.02 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 6.29 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

下降時(shí)間: 30 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 30 ns  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 50 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 20 ns  

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